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Peças de reposição de cerâmica para equipamentos de sondagem de semicondutores
Formadas por prensagem isostática a frio e sinterizadas em alta temperatura, e posteriormente usinadas e polidas com precisão, as peças de reposição cerâmicas atendem a quaisquer requisitos rigorosos de equipamentos semicondutores, graças às suas características de resistência ao desgaste, resistência à corrosão, baixa expansão térmica e isolamento. A cerâmica pode operar em diversos tipos de equipamentos de produção de semicondutores, mesmo em condições de alta temperatura, vácuo ou gases corrosivos, por longos períodos.
Fabricado a partir de pó de alumina de alta pureza, processado por prensagem isostática a frio, sinterização a alta temperatura e acabamento de precisão, pode atingir uma tolerância dimensional de ±0,001 mm, acabamento superficial Ra 0,1 e resistência à temperatura de 1600℃.
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Placa cerâmica para equipamentos semicondutores
Formadas por prensagem isostática a frio e sinterizadas em alta temperatura, e posteriormente usinadas e polidas com precisão, as peças de reposição cerâmicas atendem a quaisquer requisitos rigorosos de equipamentos semicondutores, graças às suas características de resistência ao desgaste, resistência à corrosão, baixa expansão térmica e isolamento. A cerâmica pode operar em diversos tipos de equipamentos de produção de semicondutores, mesmo em condições de alta temperatura, vácuo ou gases corrosivos, por longos períodos.
Fabricado a partir de pó de alumina de alta pureza, processado por prensagem isostática a frio, sinterização a alta temperatura e acabamento de precisão, pode atingir uma tolerância dimensional de ±0,001 mm, acabamento superficial Ra 0,1 e resistência à temperatura de 1600℃.
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Peças de reposição de cerâmica para equipamentos semicondutores
Formadas por prensagem isostática a frio e sinterizadas em alta temperatura, e posteriormente usinadas e polidas com precisão, as peças de reposição cerâmicas atendem a quaisquer requisitos rigorosos de equipamentos semicondutores, graças às suas características de resistência ao desgaste, resistência à corrosão, baixa expansão térmica e isolamento. A cerâmica pode operar em diversos tipos de equipamentos de produção de semicondutores, mesmo em condições de alta temperatura, vácuo ou gases corrosivos, por longos períodos.
Fabricado a partir de pó de alumina de alta pureza, processado por prensagem isostática a frio, sinterização a alta temperatura e acabamento de precisão, pode atingir uma tolerância dimensional de ±0,001 mm, acabamento superficial Ra 0,1 e resistência à temperatura de 1600℃.
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Anel de vedação cerâmico de alumina de alta pureza para vedação de câmaras de alta temperatura.
O anel de vedação cerâmico da St.Cera foi projetado como uma alternativa aos anéis de vedação de polímero em ambientes extremos onde os elastômeros se degradam. Fabricado com alumina de alta pureza (Al₂O₃) a 99,8%, este anel de vedação rígido é utilizado em aplicações de vedação estática — geralmente em conjunto com uma junta de metal macio ou grafite — para proporcionar contenção confiável de vácuo ou gás em temperaturas de até 800 °C e em ambientes agressivos de plasma ou químicos. O material oferece zero liberação de gases, alta resistência à compressão (resistência à flexão de 361 MPa) e inércia química (resistente a halogênios, ácidos e álcalis, exceto HF). As superfícies de vedação lapidadas com precisão (planicidade ≤ 5 μm, rugosidade superficial Ra ≤ 0,2 μm) garantem contato estanque com os componentes metálicos ou cerâmicos correspondentes.
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Anel de foco de câmara de alumina de alta pureza para sistemas de gravação a plasma e CVD
O anel de foco da câmara da St.Cera é um componente crítico do kit de processo usado em equipamentos de gravação a plasma, CVD e PVD para semicondutores. Fabricado com alumina de alta pureza (Al₂O₃) a 99,8%, o anel envolve a borda do wafer para confinar o plasma e otimizar a distribuição angular dos íons, melhorando assim a uniformidade da gravação em toda a superfície do wafer. O material oferece excepcional resistência ao plasma, alta rigidez dielétrica (15×10⁶ V/m) e estabilidade térmica de até 1600 °C, garantindo confiabilidade a longo prazo em ambientes agressivos de plasma à base de flúor ou cloro. O diâmetro interno/externo e a planicidade (≤10 μm) retificados com precisão permitem o posicionamento exato da borda do wafer, reduzindo defeitos de borda e a geração de partículas.
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Anel cerâmico de alumina de alta pureza para câmaras de processo CVD/PVD
O anel cerâmico da St.Cera foi projetado especificamente para uso em câmaras de processo CVD (Deposição Química de Vapor) e PVD (Deposição Física de Vapor). Fabricado com alumina de alta pureza (Al₂O₃) a 99,8%, este anel serve como revestimento da câmara, anel de focalização ou componente de kit de processo para confinar o plasma e proteger as paredes da câmara contra erosão. O material oferece excelente resistência ao plasma, alta rigidez dielétrica (15×10⁶ V/m) e estabilidade térmica de até 1600 °C, garantindo longa vida útil em ambientes agressivos de plasma à base de flúor. Tolerâncias dimensionais precisas (±0,05 mm no diâmetro interno/externo) e planicidade (≤10 μm) permitem o posicionamento consistente da borda do wafer, melhorando a uniformidade da deposição e reduzindo a geração de partículas.
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Efetor final cerâmico Bernoulli — Manuseio de wafers finos e frágeis sem contato
O atuador final cerâmico Bernoulli da St.Cera utiliza sustentação aerodinâmica para manusear wafers sem contato físico. Fabricado em alumina (Al₂O₃) ou carbeto de silício (SiC) de alta pureza (99,8%), possui bicos usinados com precisão que ejetam gás pressurizado para criar uma fina película de ar entre o atuador final e o wafer. Esse princípio sem contato elimina a contaminação da parte traseira, lascas nas bordas e danos à superfície, tornando-o ideal para wafers finos (≤100 μm), frágeis ou deformados. O substrato cerâmico proporciona alta resistência à flexão (361 MPa para Al₂O₃; até 550–600 MPa para SiC), baixa massa e excelente estabilidade dimensional, garantindo posicionamento repetível em robôs de transferência de wafers de alta velocidade.
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Componentes cerâmicos de alumina de alta pureza para aplicações industriais e em semicondutores.
A St.Cera fabrica peças cerâmicas de alumina (Al₂O₃) usinadas com precisão, de acordo com as especificações do cliente. Utilizando alumina de alta pureza (99,8%), esses componentes oferecem excelente resistência à flexão (361 MPa), alta dureza (16 GPa) e excepcional rigidez dielétrica (15×10⁶ V/m). Projetado para equipamentos semicondutores, conjuntos resistentes ao desgaste, isoladores elétricos e dispositivos de alta temperatura, o material apresenta absorção de água próxima de zero (0%) e um coeficiente de expansão térmica de 7,2×10⁻⁶/°C, garantindo estabilidade dimensional em condições extremas.
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Placa de fixação a vácuo de cerâmica porosa para manuseio de wafers deformados
O suporte cerâmico poroso da St.Cera é fabricado com alumina de alta pureza, apresentando uma porosidade aberta uniforme de 30 a 45% e tamanhos de poros que variam de 10 a 100 μm. Ao contrário dos suportes ranhurados convencionais, a superfície porosa proporciona um vácuo distribuído por toda a parte traseira do wafer, segurando com eficácia wafers deformados, finos ou individuais, sem que as bordas se desprendam ou quebrem. O vácuo suave (ajustável por meio de um restritor) também evita marcas na parte traseira.
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Placa de fixação a vácuo de cerâmica porosa à base de alumina para manuseio de wafers finos
O suporte poroso de alumina da St.Cera é fabricado com Al₂O₃ de alta pureza (99,6%), com porosidade aberta controlada de 30 a 45% e tamanho de poro uniforme variando de 10 a 50 μm. Ao contrário dos suportes ranhurados, a superfície porosa proporciona vácuo distribuído por toda a parte traseira do wafer, eliminando marcas nas bordas e permitindo a fixação delicada de wafers ultrafinos (≤100 μm) ou deformados. O material oferece resistência à flexão ≥250 MPa e estabilidade térmica de até 400 °C no ar.
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Placa de distribuição de gás em alumina para chuveiro CVD/PVD
A placa de distribuição de gás (chuveiro) da St.Cera é usinada com precisão a partir de cerâmica de alumina de alta pureza (99,8%). Ela apresenta uma matriz de microfuros (diâmetros de 0,3 a 1,5 mm) que garantem um fluxo de gás uniforme sobre a superfície do wafer durante os processos de CVD, PVD ou ALD. A alta rigidez dielétrica da placa (>15×10⁶ V/m) e a resistência ao plasma a tornam essencial para a deposição de filmes finos semicondutores.
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Pino de suporte cerâmico para dispositivos de processo semicondutor.
Os pinos de suporte de cerâmica da St.Cera (também conhecidos como pinos de elevação ou pinos de apoio) são usados em câmaras de processamento de semicondutores para elevar wafers ou substratos durante o manuseio, aquecimento ou resfriamento. Fabricados com 99,8% de alumina ou nitreto de silício, esses pinos oferecem alta resistência à compressão, estabilidade térmica e resistência química. O design com ponta hemisférica ou plana evita arranhões no wafer.
