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Anel de cerâmica de alta precisão em alumina, peças cerâmicas
Formadas por prensagem isostática a frio e sinterizadas em alta temperatura, e posteriormente usinadas e polidas com precisão, as peças de reposição cerâmicas atendem a quaisquer requisitos rigorosos de equipamentos semicondutores, graças às suas características de resistência ao desgaste, resistência à corrosão, baixa expansão térmica e isolamento. A cerâmica pode operar em diversos tipos de equipamentos de produção de semicondutores, mesmo em condições de alta temperatura, vácuo ou gases corrosivos, por longos períodos.
Fabricado a partir de pó de alumina de alta pureza, processado por prensagem isostática a frio, sinterização a alta temperatura e acabamento de precisão, pode atingir uma tolerância dimensional de ±0,001 mm, acabamento superficial Ra 0,1 e resistência à temperatura de 1600℃.
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Placas de cerâmica personalizadas para equipamentos semicondutores ST.CERA
Formadas por prensagem isostática a frio e sinterizadas em alta temperatura, e posteriormente usinadas e polidas com precisão, as peças de reposição cerâmicas atendem a quaisquer requisitos rigorosos de equipamentos semicondutores, graças às suas características de resistência ao desgaste, resistência à corrosão, baixa expansão térmica e isolamento. A cerâmica pode operar em diversos tipos de equipamentos de produção de semicondutores, mesmo em condições de alta temperatura, vácuo ou gases corrosivos, por longos períodos.
Fabricado a partir de pó de alumina de alta pureza, processado por prensagem isostática a frio, sinterização a alta temperatura e acabamento de precisão, pode atingir uma tolerância dimensional de ±0,001 mm, acabamento superficial Ra 0,1 e resistência à temperatura de 1600℃.
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Efetor final de cerâmica de carboneto de silício (SiC) – Alta rigidez para manuseio de wafers em altas temperaturas
O atuador final de cerâmica SiC da St.Cera é fabricado com carbeto de silício de alta pureza (teor de SiC de 99,72%, Si livre de 0,05%) utilizando o lote de material S1111. Oferece propriedades mecânicas excepcionais: resistência à flexão de 449 MPa (medida), módulo de elasticidade de 457 GPa (medido) e dureza Vickers de 25–28 GPa (típica). A baixa densidade (3,10–3,15 g/cm³, típica) proporciona alta rigidez específica, ideal para robôs de transferência de wafers de alta velocidade. Com condutividade térmica de 120–150 W/m·K (típica) e coeficiente de expansão térmica de 4,0–4,5×10⁻⁶/℃ (típico), este atuador final dissipa o calor de forma eficaz e mantém a estabilidade dimensional durante o manuseio em altas temperaturas (até 1600–1700 °C, sem carga). A cor preta/cinza e a absorção zero de água garantem a compatibilidade com salas limpas.
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Placa de fixação a vácuo à base de carboneto de silício (SiC) para ambientes de alta temperatura e plasma.
O suporte cerâmico de SiC da St.Cera é fabricado com carbeto de silício de alta pureza (lote S1111, SiC 99,72%, Si livre 0,05%). Ele apresenta resistência à flexão de 449 MPa, tenacidade à fratura de 3,12 MPa·m¹/² e módulo de elasticidade de 457 GPa. A condutividade térmica típica do material (120–150 W/m·K) e a baixa expansão térmica (4,0–4,5×10⁻⁶/℃) permitem um rápido aquecimento e mínima deformação do wafer durante os ciclos térmicos. O suporte pode ser configurado como um suporte a vácuo poroso (fluxo de gás uniforme) ou como um suporte padrão ranhurado. Com uma temperatura máxima de utilização de 1600–1700 °C (sem carga) e uma resistência excepcional à erosão por plasma, este suporte é ideal para o processamento de wafers a altas temperaturas (recozimento, RTP) e câmaras de gravação agressivas onde os suportes de alumina se degradam.
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Peças de reposição de cerâmica para equipamentos semicondutores, suportes de cerâmica
Formadas por prensagem isostática a frio e sinterizadas em alta temperatura, e posteriormente usinadas e polidas com precisão, as peças de reposição cerâmicas atendem a quaisquer requisitos rigorosos de equipamentos semicondutores, graças às suas características de resistência ao desgaste, resistência à corrosão, baixa expansão térmica e isolamento. A cerâmica pode operar em diversos tipos de equipamentos de produção de semicondutores, mesmo em condições de alta temperatura, vácuo ou gases corrosivos, por longos períodos.
Fabricado a partir de pó de alumina de alta pureza, processado por prensagem isostática a frio, sinterização a alta temperatura e acabamento de precisão, pode atingir uma tolerância dimensional de ±0,001 mm, acabamento superficial Ra 0,1 e resistência à temperatura de 1600℃.
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Anel de retificação de cerâmica de alumina com suporte metálico para aplicações de lapidação de alta rigidez.
O anel de retificação de alumina com base metálica da St.Cera combina uma camada de desgaste cerâmica de alumina de alta pureza (99,8% Al₂O₃) com um suporte metálico usinado com precisão (normalmente alumínio ou aço inoxidável). Este design híbrido proporciona a excepcional resistência ao desgaste e a inércia química da cerâmica na superfície de retificação, enquanto a base metálica adiciona resistência mecânica, facilidade de montagem e resistência à fratura frágil. A camada de alumina oferece resistência à flexão de 361 MPa, dureza Vickers de 16 GPa e estabilidade térmica de até 800 °C. A base metálica é personalizada com furos de montagem, pinos de localização ou propriedades magnéticas para integração em máquinas de lapidação, retificadoras planetárias e equipamentos CMP.
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Peças de reposição de cerâmica para equipamentos de estação de teste de semicondutores
Formadas por prensagem isostática a frio e sinterizadas em alta temperatura, e posteriormente usinadas e polidas com precisão, as peças de reposição cerâmicas atendem a quaisquer requisitos rigorosos de equipamentos semicondutores, graças às suas características de resistência ao desgaste, resistência à corrosão, baixa expansão térmica e isolamento. A cerâmica pode operar em diversos tipos de equipamentos de produção de semicondutores, mesmo em condições de alta temperatura, vácuo ou gases corrosivos, por longos períodos.
Fabricado a partir de pó de alumina de alta pureza, processado por prensagem isostática a frio, sinterização a alta temperatura e acabamento de precisão, pode atingir uma tolerância dimensional de ±0,001 mm, acabamento superficial Ra 0,1 e resistência à temperatura de 1600℃.
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Processamento personalizado de mandril de wafer cerâmico de Al2O3
Formadas por prensagem isostática a frio e sinterizadas em alta temperatura, e posteriormente usinadas e polidas com precisão, as peças de reposição cerâmicas atendem a quaisquer requisitos rigorosos de equipamentos semicondutores, graças às suas características de resistência ao desgaste, resistência à corrosão, baixa expansão térmica e isolamento. A cerâmica pode operar em diversos tipos de equipamentos de produção de semicondutores, mesmo em condições de alta temperatura, vácuo ou gases corrosivos, por longos períodos.
Fabricado a partir de pó de alumina de alta pureza, processado por prensagem isostática a frio, sinterização a alta temperatura e acabamento de precisão, pode atingir uma tolerância dimensional de ±0,001 mm, acabamento superficial Ra 0,1 e resistência à temperatura de 1600℃.
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Placa Cerâmica Personalizada para Equipamentos Semicondutores ST.CERA
Formadas por prensagem isostática a frio e sinterizadas em alta temperatura, e posteriormente usinadas e polidas com precisão, as peças de reposição cerâmicas atendem a quaisquer requisitos rigorosos de equipamentos semicondutores, graças às suas características de resistência ao desgaste, resistência à corrosão, baixa expansão térmica e isolamento. A cerâmica pode operar em diversos tipos de equipamentos de produção de semicondutores, mesmo em condições de alta temperatura, vácuo ou gases corrosivos, por longos períodos.
Fabricado a partir de pó de alumina de alta pureza, processado por prensagem isostática a frio, sinterização a alta temperatura e acabamento de precisão, pode atingir uma tolerância dimensional de ±0,001 mm, acabamento superficial Ra 0,1 e resistência à temperatura de 1600℃.
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Placa de vácuo de alumina de 12 polegadas para processamento de wafers de 300 mm
O mandril de vácuo de 12 polegadas da St.Cera é projetado com precisão em alumina de alta pureza (Al₂O₃) a 99,8% para o manuseio de wafers de 300 mm. O mandril apresenta uma superfície com ranhuras finas (largura da ranhura de 0,5 a 1,0 mm, espaçamento de 2 a 3 mm) para garantir a distribuição uniforme do vácuo em todo o diâmetro de 300 mm. A planicidade é mantida dentro de 5 μm, permitindo a fixação do wafer sem deformações durante o corte, a retificação da face posterior e a inspeção. A alta resistência à flexão (361 MPa) e a dureza (16 GPa) do material garantem estabilidade dimensional a longo prazo, mesmo sob ciclos repetidos de vácuo.
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Efetor final de cerâmica de alumina com canais de vácuo integrados
O atuador final de vácuo de alumina da St.Cera integra canais de vácuo e orifícios de sucção usinados com precisão diretamente no corpo de alumina de alta pureza (99,8%). Esse design elimina as almofadas de vácuo externas, permitindo a coleta direta do wafer com força de retenção uniforme. A alta resistência à flexão (361 MPa) e dureza (16 GPa) do material garantem estabilidade dimensional a longo prazo sob ciclos repetidos de vácuo. A planicidade em toda a área da almofada é mantida dentro de 10 μm, evitando tensão e quebra do wafer. As portas de vácuo estão localizadas na flange de montagem traseira para fácil integração com braços robóticos OEM.
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Componentes cerâmicos de alumina resistentes a ESD para manuseio de wafers sensíveis à estática
As peças cerâmicas de alumina da St.Cera, resistentes a ESD (descarga eletrostática), são fabricadas com Al₂O₃ de alta pureza (99,8%) e resistividade superficial ajustada de 10⁶–10⁹ Ω/sq, obtida por meio de um processo proprietário de dopagem ou revestimento. Essas peças dissipam a carga estática de forma eficaz, prevenindo danos eletrostáticos a wafers e dispositivos semicondutores sensíveis. O material base mantém sua alta resistência à flexão (361 MPa), dureza (16 GPa) e rigidez dielétrica (15×10⁶ V/m). As peças cerâmicas resistentes a ESD incluem atuadores finais, pinos de elevação, trilhos-guia e dispositivos personalizados para automação em fábricas de semicondutores.
