banner_da_página

Efetor final de cerâmica

  • Braço robótico de cerâmica de alumina de alta pureza para manuseio de wafers

    Braço robótico de cerâmica de alumina de alta pureza para manuseio de wafers

    O braço robótico de cerâmica de alumina da St.Cera é projetado com precisão a partir de Al₂O₃ (alumina) de alta pureza (99,8%). Ele combina excepcional resistência à flexão (361 MPa), alta dureza (16 GPa) e baixa densidade (3,93 g/cm³), resultando em um braço leve e rígido para a transferência de wafers semicondutores. O coeficiente de expansão térmica do material (7,2×10⁻⁶/°C) é bastante semelhante ao do silício, minimizando a incompatibilidade térmica durante o processamento.

  • Efetor final cerâmico Bernoulli — Manuseio de wafers finos e frágeis sem contato

    Efetor final cerâmico Bernoulli — Manuseio de wafers finos e frágeis sem contato

    O atuador final cerâmico Bernoulli da St.Cera utiliza sustentação aerodinâmica para manusear wafers sem contato físico. Fabricado em alumina (Al₂O₃) ou carbeto de silício (SiC) de alta pureza (99,8%), possui bicos usinados com precisão que ejetam gás pressurizado para criar uma fina película de ar entre o atuador final e o wafer. Esse princípio sem contato elimina a contaminação da parte traseira, lascas nas bordas e danos à superfície, tornando-o ideal para wafers finos (≤100 μm), frágeis ou deformados. O substrato cerâmico proporciona alta resistência à flexão (361 MPa para Al₂O₃; até 550–600 MPa para SiC), baixa massa e excelente estabilidade dimensional, garantindo posicionamento repetível em robôs de transferência de wafers de alta velocidade.

  • Efetor final de cerâmica revestido com Teflon – Superfície antiaderente para manuseio delicado de wafers

    Efetor final de cerâmica revestido com Teflon – Superfície antiaderente para manuseio delicado de wafers

    O atuador final cerâmico revestido com Teflon (PTFE) da St.Cera combina um substrato de alumina de alta resistência com um revestimento uniforme de PTFE de baixo atrito (espessura de 15 a 30 μm). O revestimento proporciona um coeficiente de atrito extremamente baixo (≤0,1), excelente resistência química e propriedades antiaderentes, prevenindo a adesão do wafer e eliminando a contaminação da parte traseira. O substrato cerâmico subjacente (99,8% Al₂O₃) oferece alta resistência à flexão (361–1000 MPa), resistência ao desgaste e estabilidade térmica até 260 °C (limite do revestimento). Este atuador final é ideal para o manuseio de wafers delicados, finos ou pegajosos (por exemplo, após revestimento com fotorresina ou processos químicos).